集成650V GAN FET，集成高压启动，集成X电容放电，集成输入过压以及欠压保护，超低启动和工作电流，待机功耗可以＜30mW，工作频率三档可调（500KHZ 300KHZ,140KHZ),大大减少变压器的体积，超宽的VDD范围，VVD电压范围9-112V，集成EMI优化技术，外置输出OVP保护，芯片采用DFN8*8封装。